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UM6K1N
Transistors
9
8
V GS =4V
Pulsed
0.5
0.2
V DS =3V
Pulsed
200m
100m
V GS =0V
Pulsed
7
6
5
4
I D =100mA
I D =50mA
0.1
0.05
0.02
Ta= ? 25 ° C
25 ° C
75 ° C
125 ° C
50m
20m
10m
5m
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
3
2
1
0.01
0.005
0.002
2m
1m
0.5m
0.2m
? 50 ? 25
0
0
25
50
75
100 125
150
0.001
0.0001 0.0002
0.0005 0.001 0.002
0.005 0.01 0.02
0.05 0.1 0.2
0.5
0.1m
0
0.5
1
1.5
CHANNEL TEMPERATURE : Tch ( ° C)
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Channel Temperature
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.8 Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.9 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage ( )
200m
100m
50m
20m
Ta=25 ° C
Pulsed
50
20
Ta=25 ° C
f=1MH Z
V GS =0V
Pulsed
C iss
1000
500
200
t d(off)
t f
Ta=25 ° C
V DD =5V
V GS =5V
R G =10 ?
10m
V GS =4V
0V
10
100
5m
5
C oss
50
t r
2m
1m
0.5m
0.2m
2
1
C rss
20
10
5
t d(on)
0.1m
0
0.5 1
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
1.5
0.5
0.1
0.2 0.5 1 2 5 10 20
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
50
2
0.1 0.2
0.5 1 2 5 10 20
DRAIN CURRENT : I D (mA)
50
100
Fig.10 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage ( )
Fig.11 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
Fig.12 Switching Characteristics
Switching characteristics measurement circuit
Pulse Width
R G
V GS
I D
D.U.T.
R L
V DS
V GS
V DS
50%
10%
10%
90%
50%
10%
V DD
90%
90%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t f
t off
Fig.13
Switching Time Test Circuit
Fig.14
Switching Time Waveforms
Rev.B
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